세계 반도체 생산·메모리·EUV·공정·투자 이력

조사 범위와 핵심 결과

2026년 10월 17일까지 확인한 공개 자료를 기준으로 기존 웨이퍼 연구를 확장했습니다. 공시·연차보고서·기업 기술 발표·산업협회 자료를 우선 사용했고, 월간 생산능력 등 공식 자료가 부족한 항목은 2차 자료 추정으로 구분했습니다. 회사명은 공장 위치를 뜻하지 않으며, 법인·사업부·합작 생산 범위가 다른 숫자를 통합하지 않았습니다.

핵심 이력과 해석

2026년 10월 17일을 자료 확인 기준일로 삼아, 기존 웨이퍼 생산량·생산능력 조사에 DRAM/HBM, NAND·저장장치·특수기판, 중국 메모리, EUV 고객 도입, ASML 장비 판매, 반도체 장비시장, 공정·첨단 패키징, 설비투자·회계 지표를 연결했다. 회사·제품·공정·기간·단위·모집단·실적/계획 상태와 출처 ID를 함께 보존했다. 회사별 모든 연도의 실제 생산 장수를 확보한 완전한 패널은 아니다. 공개되지 않았거나 접근할 수 없는 값은 결측이며 0이 아니다.

기본 구분은 물리적 웨이퍼 생산·투입·출하, 생산능력, 판매 비트, 가격, 제품 사양, 기술 사건, 장비 수, 투자금액이다. 생산능력은 특정 시점 설비가 낼 수 있는 잠재 처리량이며 실제 가동·수율·제품 구성에 따라 실적과 달라진다. 출하량에는 재고 증감이 개입한다. DRAM 공정 미세화나 NAND 적층·QLC 전환으로 웨이퍼 투입이 늘지 않아도 판매 비트가 증가할 수 있다. HBM 전환은 같은 비트 공급에 더 많은 웨이퍼 자원을 요구할 수 있다.

DRAM에서는 Micron의 FY2015~FY2026 공시가 출하 비트와 평균판매가격을 분리해 읽는 데 유용하다. FY2016 비트 출하는 7% 증가했지만 ASP는 35% 하락했고, FY2017에는 비트가 52%, ASP가 19% 증가했다MEM001 MEM002. FY2024의 비트 증가 ‘mid-40%’, FY2025 ASP 증가 ‘low-40%’ 같은 표현은 원문 언어 구간으로 보관했다MEM008. 이를 임의로 45%, 43% 등으로 바꾸지 않았다. 공시가 없는 값은 매출에서 역산하지 않았다. Micron FY2026은 2026-09-03에 끝난 53주 회계연도이므로 달력연도 2026 전체나 전년의 52주와 무조건 동일한 기간이 아니다MEM009.

SK hynix는 HBM을 포함한 DRAM 비트 출하가 2024년 15%, ASP가 80% 증가했다고 공시했다MEM010. 가격·고부가 제품 구성 변화가 매출에 크게 작용했음을 보여 주지만 웨이퍼 생산이 80% 증가했다는 뜻은 아니다. 2024년 3분기 HBM 매출은 DRAM 매출의 30%였고, 4분기 40%는 당시 전망이었다MEM027. 삼성의 2024년 4분기 DRAM ASP 약 20% 상승과 출하 비트의 low-teens 감소도 같은 구분이 필요한 사례다MEM011. 매출·비트·웨이퍼 비중은 서로 대체할 수 없다.

HBM 이력은 개발, 샘플, 고객 검증, 양산 준비, 양산, 상업 출하를 별도 단계로 읽어야 한다. 삼성은 2016년 4GB HBM2 양산, 2024년 4월 HBM3E 8H 양산을 발표했다MEM012 MEM016. Micron은 2024-02-26 HBM3E 8H 볼륨 생산을, SK hynix는 2024-03-19 HBM3E 볼륨 생산과 2024-09-26 36GB 12단 양산을 발표했다MEM029 MEM021 MEM022. 8단·12단 전환과 고객 공급 시점은 별도 사건이다.

HBM4에서도 SK hynix의 2025년 3월 샘플, 9월 개발 완료·양산 체제 준비, 2026년 1월 고객 동시 공급은 구분된다MEM023 MEM024 MEM025. 삼성은 2026-02-12 HBM4 양산·상업 출하를 발표했고, 같은 해 5월 HBM4E 12단은 샘플 출하 단계였다MEM017 MEM018. Micron은 2025년 6월 HBM4 12단 샘플 이후 FY2026 양산을 보고했으며, HBM4 16단은 주요 고객에게 샘플을 전달한 단계다MEM030 MEM009. 과거 계획은 뒤에 달성되더라도 그 과거 행의 계획 상태를 실적으로 바꾸지 않는 편이 예측 학습에 적합하다.

36GB/stack, 12 DRAM dies/stack, 핀 속도 Gb/s, 스택 대역폭 TB/s는 제품 사양이다. 해당 사양만으로 회사의 HBM 총 생산량이나 월간 웨이퍼를 계산할 수 없다. Micron의 HBM3E 자원 소모 약 3:1은 같은 비트·같은 공정 조건에서 DDR5와 비교한 회사 설명이며 모든 HBM 세대의 고정 환산계수가 아니다. HBM4E 약 4:1도 당시 전망이다MEM033 MEM034. 수율·TSV·접합 병목도 함께 봐야 한다.

월간 메모리 웨이퍼 수는 공식 장기계열보다 외부 추정·계획이 많다. 삼성의 월 DRAM 산출량 65만~70만 장 추정은 범위 그대로 두었고, 1c DRAM 월 20만 장은 2026년 말 설비 준비·양산 준비 계획에 관한 보도다MEM037. HBM TSV 능력도 삼성의 2024년 말 계획이 서로 다른 시점 자료에서 13만 장과 12만 장으로 나타난다MEM035 MEM039. TSV 포함 범위·계획 수정 여부를 추적해야 하며 실제 웨이퍼 스타트로 합치거나 평균 내서는 안 된다.

중국 메모리는 기술 진전의 공식 확인과 생산능력 추정을 분리했다. CXMT의 8Gb DDR4 양산 발표는 2019년 9월, 판매 시작은 11월이며, LPDDR5 출시는 2023-11-28에 확인된다CNE001 CNE002. LPDDR5X 8533/9600Mbps는 2025년 5월 양산을 시작했지만 이 사실의 발표일은 10월 28일이다. 당시 10667Mbps 제품은 고객 샘플이었다CNE003. 2025년 DDR5-8000 전시는 양산 증거가 아니다CNE004. 2026년 9월에는 LPDDR6 및 G5 플랫폼 양산이 회사 발표로 확인되지만, G5의 11.95nm는 배열 AA half-pitch라서 다른 회사의 마케팅 공정명과 직접 비교할 수 없다CNE006 CNE007.

CXMT의 월 능력 2020년 4.5만 장, 2024년 21만 장, 2025년 28만 장, 2026년 29만 장은 TrendForce를 인용한 2025-10-10 증권사 자료의 추정 스냅샷이다. 특히 2025E·2026E는 당시 전망이며 실현 검증값이 아니다. 표에 직경과 연중 정확한 기준일이 없어 임의로 300mm 연간 생산량으로 환산하지 않았다CNE008. JHICC는 유통사 제품 목록과 접근 가능한 자료의 공개 공백을 남겼다. 구독 자료의 숫자를 읽지 못했다고 능력 0으로 기록하지 않았으며, 중국의 DUV·SAQP 설명을 EUV 장비 보유의 증거로 사용하지 않았다CNE009 CNE010.

NAND도 비트·가격·적층·세대를 독립적으로 다뤄야 한다. Micron FY2023은 NAND 비트 출하가 high-single-digit 증가하는 동안 ASP는 low-50s 하락했고, FY2024는 비트와 ASP 모두 low-30% 증가로 보고됐다NAND06 NAND07. 초기 Trade NAND는 IMFT의 Intel 원가 판매를 제외하는 범위여서 후속 전체 NAND와 모집단이 다르다. FY2018 원래 Trade NAND 성장 약 40%와 다음 보고서 비교 설명의 NAND 약 30%를 하나의 모순 없는 동일 시계열로 덮어쓰지 않았다NAND03 NAND04.

Micron의 176층 출하는 2020년, 232층은 2022년에 확인된다NAND34 NAND35. SK hynix의 238층 양산은 2023년, 321층 양산 발표는 2024년 11월이지만 당시 고객 공급 목표는 2025년 상반기였다NAND24 NAND25. 삼성의 공식 9x·1xx, 8세대·9세대 표기는 공개되지 않은 정수 층수로 채우지 않았다NAND15 NAND17 NAND18. Kioxia BiCS9는 2025년 512Gb TLC 120층 샘플과 2026년 1Tb TLC 230층 샘플이 있어 세대 하나에 층수 하나를 강제하면 오류가 난다NAND43 NAND44. Gb/Tb는 비트이고 GB/TB는 바이트라는 단위 구분도 필요하다.

기업·공장 경계도 생산량 연결의 핵심이다. Intel의 Dalian 자산과 SSD 사업은 2021-12-29 SK 측으로 이전됐지만 Intel의 NAND 제조 계약은 2025-03-27까지 이어졌다NAND45. Intel 제조와 SK 소유 공장 양쪽에서 더하면 중복된다. WD 플래시 사업의 Sandisk 분할 효력일은 2025-02-21이며 HDD는 NAND 생산량이 아니다NAND46. Kioxia–Sandisk 공동 공장의 웨이퍼도 양사에 각각 100% 더할 수 없다. CBA·Xtacking은 메모리 어레이와 주변회로 웨이퍼의 접합을 포함해 완성 다이와 원재료 웨이퍼 소비가 일대일이 아니다NAND41 NAND48 NAND50.

SOI·SiC는 별도 소재 계층이다. Soitec의 2023년 SmartSiC 최종 연 50만 장은 계획이었고, FY2026 자료의 Bernin4 능력은 연 15만 장이다NAND51 NAND55. 이는 실제 출하 장수가 아니다. SOI도 직경·공장별 능력, donor 재활용, 판매 기판을 구분한다. Coherent의 200mm SiC 기판·에피 출하와 Wolfspeed Mohawk Valley의 200mm 디바이스 팹은 공급망 단계가 다르므로 같은 ‘웨이퍼’라는 이유로 합산하면 안 된다NAND52 NAND53.

EUV 장비는 주문, 모듈 출하, 시스템 출하, 고객 인도, 조립, 설치, 인수시험, 가동을 구분했다. ASML은 2021년 말 최신 세대 EUV 127대가 고객 현장에서 사용 중이라고 회고했다EUV001. 2025년 1분기의 ‘다섯 번째 High NA 출하’는 분기 출하 5대가 아니라 누적 출하 이정표이고, ‘3개 고객’은 장비 대수가 아니다EUV011. 첫 사이트 설치 1대도 해당 회사 전체 보유 대수 1대를 의미하지 않는다. 폐기·이전·재판매 정보가 부족해 이 사건들의 합계로 전세계 fleet를 구성할 수 없다.

Intel은 2023년 12월 첫 EXE:5000 모듈 출하, 2024년 4월 D1X 설치 완료·보정, 2026년 EXE:5200B 설치·인수시험 통과 확인 및 일부 Intel18A/Panther Lake 특정층 대량 생산 적용이라는 단계를 거쳤다EUV003 EUV005 EUV009. 2025년 2대 시험 가동은 실명 엔지니어 발언을 인용한 Reuters 보도로 별도 신뢰 경로를 표시했다EUV008. SK hynix의 2025년 M16 EXE:5200B 조립은 양산용 장비 조립 사실이며 High NA DRAM 양산 시작이 아니다EUV029. 삼성의 DRAM High NA 2028년까지 도입, TSMC의 2030년 첨단 노드 HVM 도입은 2026년 발표 시점의 계획이다EUV026 EUV020.

TSMC의 EUV 설치 기반 점유율 약 50%와 누적 EUV 웨이퍼 처리·산출 비율 약 60%는 2020년 발표 보도이며, 2023년 설치 기반 56%, 장비 수 2019년 대비 10배·wafer moves 30배도 절대 대수가 아니다EUV015 EUV016. ASML의 다른 시점 누적 출하와 곱해 장비 대수를 만들지 않았다. Intel의 High NA 누적 100만 장 초과는 장비 인증·시험·R&D·일부 양산 전체 처리량이어서 양품 웨이퍼 생산·고객 출하와 다르다EUV010. 처리 과정의 반복·층별 노광을 분리할 수 없는 수치에는 고유 웨이퍼 수라는 의미를 추가하지 않았다.

ASML 연간 판매 표에는 또 다른 회계 시점 문제가 있다. 2022년 EUV 물리 출하는 54대, 매출 인식은 40대였고, 2023년은 출하 42대·매출 인식 53대였다EQAS_IR2022 EQAS_IR2023 EQAS_AR2022 EQAS_AR2025. Fast shipment와 고객 인수 시점 등이 달라 연도별 숫자가 어긋날 수 있다. 2024년 EUV 매출 인식 44대는 NXE 42대+EXE 2대, 2025년 48대는 NXE 44대+EXE 4대이므로 합계와 하위를 다시 더하지 않는다EQAS_AR2025_FP. 2025년 노광장비 327대와 계측·검사를 포함한 전체 시스템 535대도 범위가 다르다EQAS_AR2025. 중고 재판매는 새 장비 제조량과 구분한다.

공정·패키징 자료는 AI 수요가 생산 구성에 미치는 영향을 보완한다. TSMC 2025년 HPC는 연결 순매출의 58%, 3nm·5nm·7nm는 웨이퍼 매출의 각각 24%·36%·14%다PKG004. HPC에는 CPU·네트워크 등도 있어 AI 전용 매출이 아니다. 노드별 가격·다이 면적·수율이 달라 이 비중을 총 웨이퍼 출하량에 곱해 공정별 장수를 만들지 않았다. 2015~2016년 웨이퍼 매출은 패키징·테스트 제외 기준으로 재작성됐고 16/20nm는 원문 결합 항목을 유지했다PKG001. N2의 2025년 4분기 HVM은 실제 이정표이며 후속 공정 계획과 구분된다PKG009.

CoWoS는 2023년에 제시한 2024년 말 능력 2배 목표, 2024년 산출 2배 초과 전망, 2024년 7월에 보고한 전년 대비 능력 2배 초과 현황, 2025년 능력 2배 목표가 서로 다른 기록이다PKG013 PKG014 PKG015. 절대 월 능력·기준일·가동률 없이 이 배수들을 연결해 확정 생산량을 만들 수 없다. Backend Fab6의 연 100만 장 초과는 SoIC/InFO/CoWoS 공유 3DFabric 공정의 12인치 등가 설계능력에 관한 회사 전망이다PKG016. CoWoS 전용 능력이나 전공정 로직 스타트가 아니다. SoIC의 2022년 SRAM-on-logic 양산과 2023년 AI 제품 적용, Intel EMIB·Foveros 및 삼성 I-Cube/X-Cube의 출시·검증·사용 가능 사건도 범위를 구분했다PKG010 PKG011 PKG017 PKG018 PKG019 PKG020 PKG021 PKG022. reticle 수는 면적 척도이지 웨이퍼 장수가 아니다.

투자는 생산의 선행·동행 요인을 연구할 수 있는 금액 지표다. TSMC 2025년 CAPEX는 명목 1,272,411백만 대만달러, R&D는 246,427백만 대만달러다FIN_TS_2025. 삼성 2025년 회사 전체 설비투자 52.7조 원에 DS 47.5조 원이 포함되므로 더하면 안 된다FIN_SS_2025. Micron FY2025 현금 PPE 취득 15,857백만 달러와 비GAAP 순 CAPEX 13,804백만 달러는 서로 다른 지표이며 정부지원금·매각 정산과 함께 확인해야 한다FIN_MU_2026 FIN_MU_N2025. 감가상각·R&D 비용은 현금 설비투자와 다르고, 통화·인플레이션·회계기준 차이를 조정하지 않은 원금액을 그대로 기업 간 순위로 비교해서는 안 된다.

SEMI/SEAJ 장비시장 billings는 2016년 412.4억 달러에서 2025년 1,350.6억 달러로 확대됐다EQM01 EQM05. 2025년 목적지별 금액은 중국 493.1억, 대만 315.0억, 한국 257.5억 달러다EQM05. 지역은 장비가 판매된 시장이므로 고객 본사 국적이나 반도체 생산의 최종 귀속 국가와 다르다. 전공정·후공정·시험·기타 장비가 포함되어 EUV 대수·ASML 매출·반도체회사 총 CAPEX와 직접 합산할 수 없다. 장비 총시장 금액만으로 중국의 EUV 보유나 첨단 공정 생산량을 추론하지 않았다.

AI 데이터로 쓸 때는 대상기간과 ‘그 정보를 알 수 있었던 날짜’를 두 축으로 관리해야 한다. 2026년 발간 보고서의 2025년 실적, 2025년 10월에 회고한 5월 양산, 나중에 재작성한 과거 비교치를 과거 예측 입력에 바로 넣으면 미래 정보가 샌다. reported_actual, announced_plan, company_forecast, secondary_estimate를 학습·평가에서 분리하고, 원문 언어 구간과 범위·초과·약 수식을 보존해야 한다. 숫자 없는 이정표는 숫자 0이 아니라 사건 레코드다. 월간 능력에 12를 곱한 값도 실제 연간 생산으로 정답 처리하지 않는다.

실용적인 연결 키는 회사명만이 아니라 법인·소유/운영 경계, 제품군, 공장, 웨이퍼 직경/등가 기준, 지표 정의, 대상기간, 발표일, 출처 ID다. 하나의 원문이 여러 파일에 쓰였을 때 관측을 중복 합산하지 않고, 전체·하위·공동공장·재판매 관계를 관리해야 한다. ASML 출하일 상충과 원문 비트·바이트 오기는 검증 대상으로 남긴다EUV001 EUV002 NAND48. 공식 실제 장수의 결측은 후속 공시 수집으로 채워야 한다.

비교 전에 구별해야 하는 지표

1. EUV·DUV 노광장비: 연간·분기·회계 인식

ASML 공시에서 장비 대수는 웨이퍼 생산량이 아니다. 이 자료는 2009–2025년 연간 노광장비 판매 대수와 신품·중고 구분, 2010–2025년 EUV 매출 인식 대수, 2011–2025년 주요 기술별 대수, 2026년 1~3분기의 판매 대수 및 High-NA 대수, 2026년 상반기의 기술별 대수를 공식 자료로 정리한다. 2009~2010년 일부 기술별 상세는 미확보이며, 숫자가 없는 구간을 0으로 채우지 않았다.

systems_revenue_recognized는 재무상 매출 인식에 대응하는 unit sales이다. systems_shipped는 ASML이 출하로 명시한 경우만 저장했다. Fast shipment 후 고객 인수가 다음 기간에 이루어지거나 bill-and-hold가 적용되면 두 시점은 다를 수 있다. 실제 2022년 EUV 출하는 54대·매출 인식은 40대, 2023년 출하는 42대·매출 인식은 53대였다. 2025년 Low-NA 출하 44대는 2026-10-14 발언에서 뒤늦게 확인한 수치이므로 AI 시계열에 미래 정보가 유입되지 않도록 source_publication_date로 가용 시점을 제한해야 한다. 출하를 누적해 설치기반이나 고객 보유 대수를 추정하지 않았다.

EUV 합계는 High-NA EXE를 포함한다. 2024년 44대는 NXE 42대+EXE 2대, 2025년 48대는 NXE 44대+EXE 4대다. 따라서 EUV 합계와 하위 유형을 재합산하면 이중계산된다. All lithography는 metrology/inspection을 제외한다. 반면 공시의 전체 net system sales 표 합계는 metrology/inspection을 포함하므로 2025년 535대와 노광장비 327대를 같은 지표로 결합하면 안 된다. 신품·중고 행과 기술별 행도 같은 총계를 다른 축으로 분해한 것이므로 상호 합산하지 않는다. 중고는 과거 판매한 장비를 재매입·정비해 다시 판매한 대수로, 신규 제조량이 아니다.

2017년은 ASC 606/842 도입 후 재작성 비교치를 사용한다(신품 173대·중고 24대·합계 197대). 원래 발표된 신품 수치와 혼합하지 않는다. 연간 2025년 원천은 2026-02-25 공개된 2025 Annual Report이다. 2026-H1은 EU-IFRS 법정 중간보고서의 실제 6개월 종료일(2026-06-28)을 보존하고, 분기·반기·연간 수치를 서로 덧셈하거나 연율화하지 않았다. 2026년 연간 출하·생산 계획과 수주액은 실적 대수로 수록하지 않았다. 출처별 공개일을 보존했으며, 나중 보고서에 실린 비교 수치는 해당 출처 공개 이전의 정보로 간주하면 안 된다.

연간 대수: 서로 겹치는 부모·부분 집계

‘—’는 이 표에서 해당 분해를 제시하지 않음을 뜻하며 0대가 아닙니다. 전 기간 기술별 DUV, 신품·중고 수량은 데이터 파일에 포함했습니다. 2015년 EUV 매출 인식 1대는 원문 2016년20-F Note20(F-42)에서 재확인한 값이며, 당시 물리 출하 대수와 다릅니다.

물리 출하와 매출 인식이 갈린 실제 사례

2026년 부분 기간

2026년 Q1~Q3와 상반기 자료는 각각의 회계기간으로 저장했습니다. 연간 확정치로 연율화하지 않았으며, 반기와 분기를 더하지 않았습니다.

2. 회사별 EUV·High-NA: 보유 대수와 도입 사건

EUV 고객별 이력은 장비 대수 연간 패널보다 사건·상태 이력으로 구축하는 편이 신뢰도가 높다. 이 파일은 공식 발표를 우선하며, Intel·TSMC의 실명 회사 발언을 인용한 2차 보도는 secondary_estimate로 명확히 분리했다. 해당 표시는 산술 추정과 동일하다는 뜻이 아니라, 1차 장비 대장·발표 원문을 확보하지 못한 보도 경로를 뜻한다.

장비 관련 metric을 주문(purchase_order), 모듈 출하, 완성 시스템 출하, 현장 인도, 조립, 설치, 인수시험 통과, 가동(in use/operating)으로 나눴다. first_*_event_quantity=1은 그 사건에서 확인된 장비 한 대이며 해당 회사의 총 보유 대수가 아니다. ASML의 누적 출하·세계 사용 중 장비와 고객별 사건을 합산하면 중복된다. 2021년 ASML의 127대는 최신 세대 EUV 사용 중 장비라는 원문 범위에 한정한다. ASML 연간 매출 인식 판매량은 이 파일에서 반복하지 않는다.

High NA는 같은 EUV라도 기존 NXE Low NA 0.33과 EXE High NA 0.55를 별도 기술로 취급한다. Intel의 2023년 12월 첫 모듈 출하, 2024년 4월 D1X 설치·보정, 2025년 2대 시험 가동 보도, 2026년 EXE:5200B 인수시험 완료 확인 및 일부 Intel18A/Panther Lake 양산은 서로 다른 단계다. SK hynix의 2025년 EXE:5200B M16 조립은 양산용 장비 설치 사건이며 High NA DRAM 양산 개시로 읽지 않는다. Samsung의 2024년 NRD-K High NA는 미래 계획, 2026년 발표한 DRAM High NA HVM by2028은 여전히 계획이다. TSMC는 2025년 High NA용 리소그래피 기술 개발을 보고했고 2026년에는 2030년 advanced-node HVM 도입 의향을 밝혔다. 이 문장들로 현재 연구 장비 0대 또는 특정 대수를 정하지 않는다.

TSMC의 세계 설치 기반 2019년42%, 2020년8월약50%, 2023년56%와 2019년 대비 장비10배/wafer moves30배는 절대 대수가 아니다. ASML의 전세계 누적 판매/출하와 발표 시점·모집단이 달라 곱셈 환산하지 않았다. EUV wafer moves 및 처리 웨이퍼는 같은 웨이퍼의 층별·시험 반복을 포함할 수 있다. Intel의 누적100만장 초과도 인증·R&D·일부양산 전체 처리량이므로 회사의 양품 wafer production/shipments와 결합하면 안 된다. 삼성 D1x 100만은 모듈 개수이며 2021년14nm의 5는 공정층 수다.

과거 계획과 실제 결과를 같은 행으로 덮어쓰지 않았다. Micron이 2021년 제시한 2024년 EUV HVM 목표, 2023년의 2025년 이후 1γ 계획, 2025년 샘플/production-node shipments 및 FY2025Q4 일본 첫 설치는 별개 이력이다. Micron의 FY2025 종료는 2025-08-28이며 발표일과 설치 기간을 구분했다. 레거시 Micron IR PDF 일부는 현재 사이트 개편으로 홈으로 리디렉션되거나 접근이 실패하지만 검색 색인에 1차 문서 문구가 남아 있다. 해당 출처는 source_type에 indexed를 표시하고 일본 설치는 SEC Proxy로 교차 확인했다.

공개 공백: Intel 전체 EUV fleet, Samsung 전체·공장별 fleet, SK hynix 전체 fleet, Micron 전체 fleet 및 고객별 연간 설치·폐기·이전 대수는 확인된 공식 연간 시계열이 없다. TSMC도 절대 장비 대수의 공식 장기 시계열을 확보하지 못했다. 이 공백은 0이 아니며 원가·투자액·클린룸 면적·시장 점유율로 장비 대수를 역산하지 않았다. 확인 안 된 삼성·TSMC High NA 도입 보도와 거래 관계 추측은 실제 대수 행에서 제외했다.

출처 충돌: ASML의 2022년 상세 회고와 사진 설명은 100번째 EUV 출하를 2020년12월로 쓰지만 현재 제품 페이지는 2020년초라고 한다. 이 파일은 날짜가 명시된 상세 회고를 기준으로 두고 상충 내용을 노트에 보존한다. TSMC 2024년 AnandTech 전재 본문은 10배/56%의 연도를 일부2024로 서술하지만 같은 표와 TSMC의 직접 답변 인용은2023이다. 2023을 채택했다. SK hynix High NA 페이지 상단은2025-09-02, 본문 dateline은2025-09-03으로 하루 차이가 있어 본문 일자를 사용했다.

High-NA·고객 장비의 주요 원문 기록

3. DRAM·HBM: 출하 비트·가격·제품 사양·생산 단계

삼성전자·SK hynix·Micron의 DRAM/HBM을 출하 bit 성장, ASP, 제품매출 mix, 제품세대·적층·대역폭, 기술단계, 월간 wafer 추정으로 나눠 기록했다. Micron은 FY2015–FY2026 연간 DRAM 자료를 중심으로 수집했으나 FY2019 bit growth/FY2022 ASP의 미공개 수치를 매출 변화에서 역산하지 않았다. high/mid/low 등 언어적 구간은 value=null 및 value_text로 보존한다. Micron FY2026은 2026-09-03 종료53주 회계연도로 CY2026과 다르다. 삼성/SK는12월결산 기준이다. HBM의 GB/stack·DRAM die 수·핀속도·TB/s는 제품 spec이며 생산 wafer 수와 무관하다. 개발, 샘플, 고객인증, 양산준비, 양산, 상업출하를 구분했으며 발표시점 계획은 이후 달성이 확인되어도 당시 상태를 유지했다. HBM 매출 비중·bit 생산 비중·wafer 투입 비중은 서로 대체할 수 없다. 공개 월간 wafer 수는 제한적이다. TrendForce의 TSV후공정 포함HBM계획능력, 취재보도의1c노드설비준비목표, 전체DRAM월생산추정을 각각secondary_estimate로 표시했고, 이를 공식 실제waferstarts 장기계열처럼 연결하거나 합산하면 안 된다. HBM3E의 약3:1 wafer trade ratio는 동일bit·동일공정 조건의 회사 설명이며 가격/원가비율 또는 모든세대에 적용할 상수로 사용할 수 없다. 공식 static파일2건은 IR개편후redirect되므로 검색색인에서 확인한자료라는 접근한계를 출처에 기록했다.

Micron 연간 DRAM: 숫자와 언어적 구간을 함께 보존

HBM 세대별 단계 이력

발표문이 실제로 주장하는 단계를 그대로 저장합니다. 제품 준비 완료·고객 평가·샘플 공급과 대량 양산은 서로 다른 사건입니다.

HBM 적층·용량·대역폭의 제품 사양 사례

월간 DRAM·HBM 능력 추정과 전환 비용

4. NAND·저장장치·소재: 비트와 층수의 독립성

NAND에서는 생산웨이퍼 장수, 판매 비트량, 다이 용량, 적층 수, 평균판매가격을 각각 독립 변수로 보관해야 한다. 적층 증가·QLC 전환·수율 개선으로 비트 생산은 웨이퍼 투입이 같거나 줄어도 증가할 수 있다. 이 파일의 growth는 출하 비트 증감으로 생산웨이퍼량을 대체하지 않는다. 주요 기업은 절대 bit/wafer 수량보다 증감률·기술 세대만 공개하므로 이 자료는 완전한 웨이퍼 생산량 패널이 아니다. 비공개 절대량을 점유율이나 매출에서 역산하지 않았다.
Micron은 FY2015부터 FY2026까지 공식 연간 출하·ASP 이력을 연결할 수 있으나 초기 Trade NAND와 이후 NAND의 모집단 차이가 있다. FY2018 원공시 Trade NAND 약40% 증가와 FY2019 비교표현의 NAND 약30% 증가는 별도 범위로 보존했다. high/mid/low 범위는 value=null과 원문 value_text로 저장하여 임의 중앙값·범위를 생성하지 않았다. FY2026은2026-09-03 종료53주 회계연도이며 달력2026 전체가 아니다.
공정세대와 수직 적층은 같은 축이 아니다. Samsung은 공식 발표에서9x/1xx 또는8·9세대만 공개한 경우 층수를 정수로 만들지 않았다. Micron G9도 이 발표에서276층을 확인하지 않아 층수로 채우지 않았다. Kioxia BiCS9는2025년512GbTLC120층과2026년1TbTLC230층 제품이 존재하므로 세대마다 단일층수를 부여하면 오류가 생긴다. Kioxia–Sandisk CBA와 YMTC Xtacking은 메모리웨이퍼와 주변회로웨이퍼 접합을 포함하므로 완성 NAND 다이의 층수와 원재료웨이퍼소비는 일대일이 아니다.
개발·학회발표·샘플·양산·고객출하를 metric으로 구분했다. SK hynix321층은2024-11양산 발표지만 고객공급2025상반기는 당시계획이다. SK128층2019-06발표는양산시작으로기재하지만2019Q4실적발표에서는2020년양산계획이라표현되어제품/양산램프정의의차이를추적해야한다. SK176층자료는웹게시일2020-12-04와본문일12-07이다. YMTC64층자료게시일2019-09-17/행사일09-02,128층게시일2020-04-12/본문일04-13을분리했다. YMTC64층영문각주의256MB는본문256Gb와불일치하므로적극검증대상이다.
Intel–SK hynix는2021-12-29 Dalian자산·SSD사업이전뒤에도Intel이SK소유공장에서NAND를생산했으며2025-03-27제조계약이종료됐다. Solidigm·Intel·SK그룹합계는중복될수있다. WDflash는2025-02-21분할되어Sandisk가02-24독립주식거래를시작했고,HDD수량은NAND가아니다. Kioxia/Sandisk공동공장의물리적웨이퍼를양사각각100%로합산해서는안된다.
SOI·SmartSiC·bulkSiC는기판/소재이고WolfspeedMohawkValley는SiC디바이스fab이다. Soitec최종50만장능력은2023계획이지실제연간출하가아니다. 원재료기판·소자fab가공웨이퍼·메모리bit·적층수는모두별도단위로보관한다. Gb/Tb는bit,GB/TB는byte이며8bits=1byte이다. 공시일이예측시점보다늦은자료를과거학습특징에사용하면미래정보누설이발생하므로publication_date와period를별도로필터링해야한다.

Micron 연간 NAND 출하 비트·ASP

NAND 층수·세대·양산 단계

사업 경계와 SOI·SiC 소재

5. 중국 DRAM: CXMT·JHICC

CXMT의 DDR4는 2019년 9월 양산 발표, LPDDR5는 2023년 11월 제품 출시와 고객 검증이 공식 확인된다. LPDDR5X 8533/9600Mbps는 2025년 5월 양산을 시작했으며 이 사실의 발표일은 10월 28일이다. 같은 발표 당시 10667Mbps는 고객 샘플 단계였다. DDR5-8000/24Gb는 2025년 11월 전시 자료에서 확인되므로 전시를 양산으로 바꾸지 않았다. 수집일 이전인 2026년 9월에는 LPDDR6 양산과 G5 플랫폼 및 24Gb LPDDR5X 양산이 공식 발표되었다. G5의 11.95nm는 배열 AA half-pitch이며 통상적인 공정 노드명과 직접 동일시하지 않는다. 공개 생산능력 표는 TrendForce를 인용한 2025년 10월 증권사 자료의 추정 스냅샷이고 2025E/2026E는 당시 전망으로 보존했다. JHICC는 유통사 자료의 DDR4/LPDDR4X 제품 목록까지만 확인했으며 공개 TrendForce 숫자는 구독 제한으로 결측 처리했다. 중국 EUV 보유 대수를 0으로 기입하지 않았고 DUV/SAQP와 EUV를 혼동하지 않았다.

능력 추정: 출처 시점을 유지한 전망

제품·속도·양산 확인 이력

6. 공정·플랫폼·첨단 패키징

TSMC의 첨단 공정 전환과 AI/HPC 수요 변화를 분석할 수 있도록 공정별 웨이퍼 매출 비중(2015~2025년)과 플랫폼별 연결 순매출 비중(2017~2025년)을 공식 20-F 원문에서 수집했다. 공정 표는 65nm 이하의 선택 항목으로, 90nm 이상의 성숙공정이 빠져 있으므로 연도별 합계가 100%일 필요가 없다. 플랫폼 표는 여섯 공시 항목 전체를 담았다. 2015·2016년 수치는 패키징·테스트를 웨이퍼 매출에서 제외하도록 2017년 보고서가 재작성한 수치를 사용했고, 이 시기 16/20nm를 임의로 나누지 않았다. 2017·2018년 플랫폼 수치는 2019년 플랫폼 공시 도입 때 제공된 비교가능한 과거 수치다. 반올림 0%와 미공시 대시를 구분했으며, 후자를 0으로 채우지 않았다. TSMC의 2025년 HPC 비중은 58%, 3nm·5nm·7nm 웨이퍼 매출 비중은 각각 24%·36%·14%다. HPC에는 CPU·네트워크 등도 포함되므로 AI 전용 매출로 읽을 수 없다. 매출 비중에 총 웨이퍼 출하량을 곱해 공정별 생산량을 추정하는 것은 공정별 가격·수율·제품구성 차이를 무시하므로 수행하지 않았다. CoWoS는 2023년 발표한 2024년말 2배 캐파 목표, 같은 시점의 2024년 산출량 2배 초과 전망, 2024년 7월 경영진이 보고한 전년 대비 캐파 2배 초과 현황, 2025년 2배 캐파 목표를 별도 행으로 보존했다. 각 발언의 기준일과 실제·전망 상태가 다르므로 하나의 확정 연간 생산량 시계열로 연결하면 안 된다. 공식 절대 월캐파가 확인되지 않은 CoWoS·SoIC·InFO 수치는 임의 추정하지 않았다. Advanced Backend Fab 6의 연 100만 장 초과는 12인치 등가 3DFabric 공유 공정능력에 관한 회사 추정치다. CoWoS 전용능력이나 전공정 로직 웨이퍼 스타트, 해당 연도 실제 출하량이 아니다. SoIC CoW의 2022년 SRAM-on-logic 양산과 2023년 AI 플래그십 적용 양산은 범위를 구분해 보존했다. CoWoS-L의 reticle 수는 인터포저 면적 척도이지 생산량 단위가 아니다. 삼성 I-Cube/X-Cube와 인텔 EMIB/Foveros는 공식 출시·상용화·제조거점 이력으로 보완했으며, 개발 검증·즉시 사용가능·양산 시작을 서로 다른 사건으로 기록했다. AI 학습 데이터로 사용할 때는 발표일과 대상기간을 별도 특성으로 유지하고, 2026년 발간 보고서에서 회수한 2025년 실적을 2025년 당시 알려진 정보로 취급하는 미래정보 누출을 피해야 한다.

TSMC 공정별 웨이퍼 매출 비중 (%)

미제시·범주 변경은 ‘—’로 표시합니다. 2015/16의 16/20nm는 합산 범주이며 2015/16 수치는 2017 보고서 재작성 기준입니다.

TSMC 플랫폼별 연결 순매출 비중 (%)

미제시·범주 변경은 ‘—’로 표시합니다. 2015/16의 16/20nm는 합산 범주이며 2015/16 수치는 2017 보고서 재작성 기준입니다.

CoWoS·SoIC·InFO·I-Cube·Foveros·EMIB

7. 설비투자·R&D·감가상각

설비투자는 당해 생산량이나 장비구매 대수와 다르다. TSMC CAPEX는2001–2025 명목NTD, Samsung은2016–2025 전체와DS, Micron은FY2023–26현금PPE와FY2024–26비GAAP순CAPEX를 분리했다. Samsung 전체와DS를 합산하지 않고 Micron 현금PPE·순CAPEX·정부지원금을 중복합산하지 않는다. Micron FY2026은2026-09-03종료53주이며Calendar2026실적이 아니다. 환율 변환과인플레이션 조정은 하지 않았다. R&D와상각비는 회계 비용으로, 설비투자의 현금유출과다르다.

통화·가격 수준은 원문 그대로입니다. USD 환산이나 인플레이션 조정은 하지 않았습니다. 투자액으로 장비 대수나 웨이퍼 능력을 역산하지 않습니다. 삼성 전체 CAPEX와 반도체 부문은 부분·전체 관계이므로 합산할 수 없습니다. TSMC의 2011년 이전 R.O.C. GAAP와 2012년 이후 IFRS는 회계기준 전환을 포함합니다.

TSMC 원문 투자·비용 이력

Samsung 원문 투자·비용 이력

Micron 원문 투자·비용 이력

8. 지역별 반도체 제조장비시장

SEMI/SEAJ 장비시장 통계를2016–2025세계및7지역으로확장했다.세계합계는2016년41.24십억USD,2021년102.64십억USD,2025년135.06십억USD다.2025본사발표135.1은반올림이며세부표135.06을사용했다.이시장에는노광뿐아니라전공정·후공정·시험·기타장비가포함되므로ASML EUV대수나회사CAPEX와직접합산하지않는다.지역은장비시장목적지이며기업국적이나매출귀속국가와다르다.공식일본어번역의최초게시일이확인안된경우null로두고원통계발표일을별도기록했다.

장비 billings — billion USD, 명목금액

Global은 지역 부분합의 부모 집계입니다. 지역과 Global을 더하지 않습니다. 원표 반올림으로 지역 합계와 세계 합계에 작은 차이가 있으며, 2025년 보도자료 제목의 135.1은 원표 135.06을 반올림한 표현입니다. 통계 원발표일과 날짜 미확인 번역 페이지는 별도 메타데이터로 보존했습니다.

9. AI 개발용 데이터 구조와 사용 범위

모든 관측에는 회사·대상기간·단위·제품/기술·집계 범위·실적/추정/계획·출처·원문 위치가 연결됩니다. 원자료와 정규화 값을 함께 저장해 향후 수정·재검증이 가능합니다.

시점·누락·정합성 검증

신규 884행은 점수치 699행, 범위·부등호 29행, 이정표 103행, 정성 49행, 이산 선택지 3행, 공개 공백 1행입니다. 신규 135행은 출처의 정확한 일자 가용일을 확인하지 못해 null로 남겼습니다. 이를 연말 날짜로 임의 대체하면 안 됩니다.

회사·출처 참조키, 고유 ID, 기존779행의 원자료 보존, 범위·부등호, CXMT전망 플래그, ASML 부모·부분 대수, 신품/중고 합계, SEMI지역 합계, 금융 지표의 부호·단위를 검증했습니다. 데이터 행의 구조 검증이 모든 원문 수치의 무오류나 모든 회사의 완전한 공개를 뜻하지는 않습니다. 검증 결과와 원문 접근 한계는 JSON으로 함께 제공합니다.

현재 공개 자료로 채우지 못한 항목

• 주요 메모리사의 비교 가능한 공식 월간 실제 wafer starts 장기계열과 전 세계 총 EUV 보유 대수.
• 회사별·고객별 노드 수율, 정확한 양품 다이 수, AI 전용 웨이퍼 비중, 제품별 절대 bit 출하량.
• 공식 연속 절대 CoWoS·SoIC·InFO 월간 생산/출하량. 상대 배율을 임의 월캐파로 변환하지 않았습니다.
• 유료 fab 데이터베이스 전체 이력·장비별 시리얼 추적·비공개 고객 인수일. 본 자료는 공개 근거를 모은 패널이며 전수 센서 데이터가 아닙니다.

원문 전체 재배포나 모델 학습 이용 권한은 각 출처의 조건을 별도로 확인해야 합니다. 이 패키지는 사실·요약·원문 위치를 중심으로 구성했습니다.

다운로드 파일

• 엑셀: 분야별 시트·전체1663행·출처·사전
• SQLite: 인덱스 포함 조회용 데이터베이스
• 전체 CSV · 신규 CSV · 한국어 RAG JSONL
• 기존 웨이퍼 상세 보고서 50쪽 · 기존 엑셀
• 설계·재현·SQL 사용 안내 · 스키마 · 통합검증 · 독립검증

10. 이번 확장 출처 목록

새 출처 레코드는219개입니다. 기존253개는 파일 내 출처표와 기존 보고서에 보존했습니다. 전체472개 레코드의 고유 원문URL은448개입니다. 같은 원문을 다른 분야에서 사용한 레코드가 존재합니다. 미확인·부분 공시일은 그대로 표시했습니다.

EUV·DUV 노광장비 대수